| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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PHD37N06LT,118 |
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | NXP Semiconductors | 168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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PHD37N06LT,118参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 55V 37A DPAK 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：55V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：37A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：32 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1400pF @ 25V 功率 - 最大值：100W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： Card EdgeHMM43DRYH 芯片电阻 - 表面RT0805FRE0722K1L 接线板 - 线至板1-282857-2 标记STD02W-L 芯片电阻 - 表面PFS35-6K2F1 灯 - 白炽灯，氖SM1250S 芯片电阻 - 表面CRCW0201976RFKED 芯片电阻 - 表面9C08052A4321FKHFT 晶体管(BJT) SMMBT3904WT1G 陶瓷电容器08053A331KAT2A |
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